（六）项目采用的关键设备（包括光伏组件、逆变器、蓄电池）由实施单位自主采购，设备供应企业和产品性能必须满足相关要求（见附件）。
（七）项目必须在2012年12月31日前完成竣工验收。
（八）以前年度承担金太阳示范项目但未按要求期限完工的项目单位，不得申报新项目。已获得相关政策支持的项目不得重复申报。
三、申报程序和时间
（一）项目实施单位按市固定资产投资核准要求编制项目申请报告，按属地原则上报我委核准。
（二）项目申报截止时间为2012年2月29日，我委将组织专家评审后上报。
二〇一二年二月十四日
附件：
金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）
一、电池组件
（一）性能要求
1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）≥14.5%，非晶硅薄膜组件≥7%，CIGS薄膜组件≥10%。
2、工作温度范围为-40℃～＋85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率。
3、使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。
4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照GB/T9535（或IEC61215）和GB/T18911（或IEC61646）以及GB/T20047（或IEC61730） 标准要求，通过国家批准认证机构的认证，关键部件和原材料（电池片、封装材料、玻璃面板、背板材料、焊接材料、接线盒和接线端子等）型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。
（二）生产企业资质要求
1、在中华人民共和国注册的独立法人，注册资本金在1亿元人民币以上。
2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产检验能力不低于500 MWp，2011年实际发货量不低于300MWp（以海关报关单或销售发票为准）。非晶硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于50MWp，CIGS薄膜组件企业的生产检验能力不低于30MWp。
3、配备AAA级太阳模拟器、组件隐裂测试设备、高低温环境试验箱等关键检验设备。
4、2009-2011年无重大质量投诉或合同违约责任。
二、并网逆变器
