三、发展重点
（一）重点支持高端芯片的研发及产业化，建立芯片制造生产线和器件封装测试生产线。将高端芯片及器件的设计与制造作为振兴我省新型电力电子器件产业的突破口，各级政府、金融机构、风险投资机构要加大扶持和投入力度，建设国家和省级工程技术中心、重点实验室，整合企业、高等院校和科研机构等资源优势，集中力量，研发具有自主知识产权的高端芯片和器件关键技术。重点支持绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、快恢复二极管（FRD）等新型电力电子高端芯片和器件的研发。积极推动具有国际先进水平的新型电力电子芯片制造和封装测试生产线建设。
（二）大力推动电力电子模块研发和产业化，提高封装测试能力。积极推动采用自主技术的芯片和器件的功率模块产业化，重点支持新型电力电子器件大功率模块、智能功率模块（IPM）和用户专用功率模块（ASPM）的研发和产业化，重点解决散热、电磁兼容（EMC）和智能功率模块的驱动及保护等关键技术。积极推进适于新型电力电子模块封装专用生产线建设，提高技术工艺水平。
（三）大力发展整机应用装备产业，加大推广应用。围绕电机节能、新能源、输变电、新能源汽车、轨道交通、飞机、船舶、变频家电、机床电子等工业装备和系统等领域，支持采用自主技术芯片、器件和功率模块的电力电子整机应用技术和装备、系统的研发和产业化，重点开发变频电机、高效逆变焊机、变频控制器、变频家电、新能源用逆变并网设备、高效开关电源、不间断电源、高效电磁加热设备、电力控制设备等一批重点产品。加大新型电力电子器件及整机装备的推广应用力度，支持产用结合，重点实施一批应用示范工程。
（四）支持新型电力电子器件新材料研发及产业化。支持高等院校及科研机构和企业通过自主创新，不断研发新型电力电子相关配套材料的关键技术；积极支持硅衬底材料、外延片、碳化硅、陶瓷基板、金属及塑料壳体、钼片、底板及电极连接件、硅橡胶和硅凝胶等新型电力电子器件配套材料和产品的研发生产，重点支持绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块用低热阻陶瓷覆铜板（DBC）、碳化硅等的技术研发，提高产业支撑和配套能力，把我省建成国内重要的新型电力电子器件材料研发和生产基地。
（五）加强新型电力电子领域标准的制定和知识产权保护。密切跟踪国际标准，鼓励和引导企业和高等院校及科研机构积极参与新型电力电子芯片、器件、模块、整机装备与系统标准制定，通过标准化促进产业发展。增强知识产权保护意识，积极申请专利，提高企业核心竞争力。
