充分利用应力、高迁移率材料、多种晶向、能带工程等手段，发展相应的新器件结构，制备与CMOS工艺兼容的新结构高迁移率的纳米MOSFET。
面向SOC的新材料及新器件探索与集成（涉及领域：物理、材料、微电子）
科学目标：
通过研究新材料和新器件，探索工艺兼容、极低功耗、超高密度、超高频率的器件，为SOC的发展开辟新天地。
研究内容：
（1）硅基射频新器件和相关材料问题
研究适于SOC的射频电路用的新器件，解决工艺兼容性等问题，实现适于SOC高频端的新器件和电路。
（2）纳电子器件及其集成基础
研究纳米结构的物理机制，提出可集成的器件结构和工作模式，建立相关器件物理模型和模拟方法。
申请书要突出源头创新，强调学科交叉，注意与其它国家项目的区别。
三、申请注意事项
本计划旨在将相关研究联系起来，成为一个协调的综合研究计划。申请书应论述与项目指南最接近的科学问题，以及对解决核心科学问题和实现“计划”总体目标的贡献。项目申请书的目标和内容应瞄准上述领域的关键科学问题，突出本计划的特点，强调创新点以及前沿基础科学问题的研究。
申请者可根据拟解决的具体科学问题，在认真总结国内外过去的工作、明确新的突破点以及如何探索的基础上，自由确定项目名称、研究目标、研究内容、技术路线和相应的研究经费。主要以相当于面上、重点项目资助强度予以支持。（面上项目平均30万元左右资助强度，重点项目平均资助强度为180万元）。
本年度拟批准项目经费1300万。资助项目数和资助强度依据申请情况和申请项目研究工作的实际需要而定。本年度拟支持3－4项重点项目，优先支持在上述方向研究成果基础上整合的、体现集成创新的、具有较明确应用前景，能在近3年取得突破性进展的SOC芯片项目，例如：低功耗、多核、可重构的SOC；阵列式或多物理量／生化量的集成微传感系统，等等。
由信息科学部、工程与材料科学部、数理科学部、化学科学部、生命科学部组成的联合工作组受理申请，申请书标明“重大研究计划”和“半导体集成化芯片系统基础研究”字样，申请书封面的“申报学科”栏填写申请项目所属学部。特别提醒申请人要根据研究内容填报相应学科，而不要过分集中在信息科学部，本计划研究内容涉及上述5个科学部，属于大跨度交叉，评审过程中由各科学部人员组成的联合工作组会考虑不同研究内容的协调与均衡。
