此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为７．５％。
从多晶硅——单晶硅棒总损耗率：４英寸约为４５．３％
５英寸约为４３．８％
Ｂ、单晶硅棒——单晶硅抛光片
单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内园切割机在切割过程中由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约３４％－３５％。如采用线切割机则损耗较小。
例：
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｜ ｜ ４英寸 ｜ ５英寸 ｜
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｜切片刀厚 ｜ ３１０＋２５ ｜ ３８０＋２５｜
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｜硅片厚度 ｜ ６５０ ｜ ７５０ ｜
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｜损耗率 ｜ ３４％ ｜ ３５％ ｜
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其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约１６．６７％－１９．２３％。
例：
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｜ ｜ ４英寸 ｜ ５英寸 ｜
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｜切片厚度 ｜ ６５０ ｜ ７５０ ｜
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｜抛光厚度 ｜ ５２５ ｜ ６２５ ｜
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｜损耗率 ｜ １９．２３％ ｜ １６．６７％｜
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从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片５％、倒角１％、磨片５％、腐蚀２％、退火２％、抛光５％、清洗２％，此间损耗率约２０％
从单晶硅棒——单晶硅抛光片的总损耗率：４英寸约为５７．４％
