测试方法：
电阻率：用四探针法。
ＯＩＳＦ密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。
碳含量：利用红外分光光度计进行检测。
单晶硅抛光片品质规格：
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数
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｜ 厚度（Ｔ） ｜ ２００－１２００ｕｍ ｜
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｜总厚度变化（ＴＴＶ）｜ ＜１０ｕｍ ｜
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｜弯曲度（ＢＯＷ） ｜ ＜３５ｕｍ ｜
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｜翘曲度（ＷＡＲＰ） ｜ ＜３５ｕｍ ｜
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单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（２）加工工艺知识
多晶硅加工成单晶硅棒：
多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：
ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法
ＦＺ（Ｆｌｏａｔ－Ｚｏｎｅ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）法
目前超过９８％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用ＣＺ法占了约８５％，其他部份则是由浮融法ＦＺ生长法。ＣＺ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而ＦＺ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。ＣＺ法所以比ＦＺ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是ＣＺ法比ＦＺ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用ＣＺ法
ＣＺ法主要设备：ＣＺ生长炉
ＣＺ法生长炉的组成元件可分成四部分
（１）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（２）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
（３）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀
（４）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统
加工工艺：
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
