太阳能技术的产品、标准与专利新发展-法搜-中国法律信息搜索网

　　在能源技术领域，US20070151245保护一种太阳能发电机。US20070107768保护一种太阳能发电系统。US20060118104、US20060118105保护太阳能电站。US20010010222保护太阳能发电和电能存储系统。
　　（三）国内情况
　　国内发明专利申请量也不小，覆盖了太阳能应用的各个基础技术领域：
　　第一，转换器。例如，200580024508.4号文献涉及一种3-相太阳能变换器电路和方法，用于避免变换电路中使用高容量储能元件。01823087.3号文献涉及一种太阳能转换器。它的取向由光学控制装置控制，基本双向地垂直于太阳光光线，使太阳光沿每个细长的反射器的焦线被反射并被集中，点聚焦反射阳光照射在太阳能电池上产生电。
　　第二，材料发明。例如，03824496.9号文献涉及一种包含低湿气渗透率粘合剂组合物的太阳能电池板，包括光电材料层、背板、粘合剂层等。200410064831.1号文献涉及一种制备多晶硅绒面的方法。200610065676.4号文献涉及一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法。03159696.7号文献涉及一种塑胶太阳能集热管材料配方，组份及按重量份的含量为：三元乙丙橡胶100，聚烯烃1～50，增溶剂2～30，传热剂5～50，吸热剂1～10，滑剂0.5～5。200480039417.3号文献涉及一种太阳能电池的硅原料，可用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带，它含有0.2-10ppma的硼和0.1-10ppma的磷。
　　第三，半导体基材制造方法。例如，00122589.8号文献涉及一种半导体基材的制造方法和太阳能电池的制造方法。
　　第四，半导体薄膜制造方法。例如，99104304.9号文献涉及一种半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池。200410079736.9号文献涉及一种半导体膜及制造方法、使用它的太阳能电池及制造方法。02158797.3号文献涉及一种太阳能选择性吸收膜构造及其制备方法，它具有位于一个反射金属层上的单一陶瓷金属合金薄膜。该薄膜的厚度介于150-400nm。200410079736.9号文献涉及一种半导体膜及制造方法。
　　第五，太阳能电池制备方法。例如，200510030012.X号文献涉及一种N-型硅片上制造太阳能电池的方法，它在N-型硅晶片正面上丝网印刷铝浆料，通过干燥和焙烧在N-型硅片正面形成铝膜。
　　第六，半导体器件和电池模件制造方法。例如，99102715.9号文献涉及一种半导体器件、太阳能电池模件以及将其拆卸的方法，它把基片、填充物、光电元件和保护层中的至少一种与其它的构件分离。被分离的构件可被再利用。200310114345.1号文献涉及一种太阳能电池组件和其生产方法，该组件具有挠性且包含薄膜单晶，它按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式来制造。200410071241.1号文献涉及一种采用太阳能电池的发光砌块。02817933.1号文献涉及一种硅板及其生产方法和太阳能电池。